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  第六研究室，nec公司，进行产品封装设计、测试和评估研究，室长：川路昭。

  直到2010年之前，日本的半导体设备指数和米国费城半导体指数bb值，是评估全球半导体行业景气度的两个关键指标。

  1978年日本人发明64k dram，其问世标志着超大规模集成电路(vlsi)时代的来临，硅片直径为100-125mm，芯片面积为26.6mm2，集成度为155000。主要技术为循环位线、折叠数据线。

  1980年日本人发明256k dram，硅片直径为125-150mm，芯片面积为34.8mm2，集成度为555000，主要技术为三层多晶硅和冗余技术。

  在推进dram产业化方面，日本政府为半导体企业提供高达16亿美金的巨额资金，包括税赋减免、低息贷款等资金扶持政策，帮助日本企业打造dram集成电路产业集群，并最终一举赢取第一次dram世界大战-美日半导体战争的胜利。

  在科技红利之有效研发投入上，远远超过米国人，这才是日本人获胜的本质。

  1980开始第一次全球半导体硅含量提升周期进入加速期，作为全球最大消费市场的米国，以苹果为代表的一批公司，推进了大型机、小型机向普通家庭的快速普及。

  在一年时间内，米国家用电脑出货量从4.8万台，暴增到20万台，家庭电脑的高速增长，对存储器芯片产生了大量需求，日本人在dram核心技术的科技红利领先，这给日本dram厂商带来了抢占米国市场的机会。

  1980年，米国惠普公布dram内存采购情况，对竞标的3家日本公司和3家米国公司的16k dram芯片进行检测，质量检验结果为：

  米国三家最好dram公司的芯片不合格率，比日本三家dram公司的芯片不合格率，整整高出6倍。

  三家米国公司是英特尔、德州仪器和莫斯泰克。

  三家日本公司是nec、日立和富士通。

  三十年集聚一朝奋起，到1986年日本人占据全球dram存储器芯片市场80%份额，成为当时全球半导体产业的新霸主。

  日本人的大获全胜，为全球半导体发展天朝家树立了一个成功逆袭的典范。

  1985、1991年两次签署的《美日半导体协议》，虽然给日本人进行极大的制约，虽然米国人全力扶持韩国人，但造成日本人在1986-1997年的第二次dram世界大战-日韩半导体战争中失败，十年间断崖式下滑的主要原因还是日本人在科技红利之有效研发投入上的不足。

  日本在64m dram关键技术有效研发投入上大大落后于韩国人，日本人就此错失了第二次、第三次全球半导体硅含量提升周期，错失pc、笔记本、手机等快速普及的市场红利。

  1985年开始日本经济进入泡沫化，房地产就像打了鸡血，全民进入炒房时代。1985年日本人砍掉近40%的设备更新投资和科技红利投入，1986-1987年日本人有效研发投入从4780亿日元下降到只有2650亿日元，下降幅度达到80%，这就给了韩国人反超的机会。

  日韩半导体战争后，日本人已无力回天。1999年富士通宣布退出dram市场。曾经的三巨头nec、日立、三菱三家公司的dram部门合并，成立尔必达(elpida)。

  尔必达与天朝台湾省的力晶半导体建立联盟以抗衡韩国人。

  2008-2009年，中芯国际面临台积电在米国的337调查和诉讼，尔必达无奈终止和中芯国际的合作，尔必达彻�